Name: HN1A01FE-Y,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN1A01FE-YLFTR-ND
Price: 0.25944 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HN1A01FE-Y,LF
DigiKey-Teilenr.	HN1A01FE-YLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HN1A01FE-YLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) HN1A01FE-YLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	HN1A01FE-Y,LF
Beschreibung	TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA ES6
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2 PNP (zweifach) 50V 150mA 80MHz 100mW Oberflächenmontage ES6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	HN1A01FE-Y,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	2 PNP (zweifach)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 10mA, 100mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	120 bei 2mA, 6V
Leistung - Max.	100mW
Frequenz - Übergang	80MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-563, SOT-666
Gehäusetyp vom Lieferanten	ES6
Basis-Produktnummer	HN1A01

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