Name: RN1111MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN1111MFV,L3FTR-ND
Price: 0.14053 CHF
Availability: InStock

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RN1111MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	264-RN1111MFV,L3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-RN1111MFV,L3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-RN1111MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1111MFV,L3F
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 150 mW Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RN1111MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 120 bei 1mA, 5V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 250µA, 5mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 150 mW
Transistor-Typ NPN mit Vorspannung	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100 mA	Gehäuse / Hülle SOT-723
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Gehäusetyp vom Lieferanten VESM
Widerstände enthalten Nur R1	Basis-Produktnummer RN1111
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)