VESM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RN1131MFV(TL3,T)

DigiKey-Teilenr.
RN1131MFV(TL3T)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
RN1131MFV(TL3T)CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
RN1131MFV(TL3,T)
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 150 mW Oberflächenmontage VESM
EDA/CAD-Modelle
RN1131MFV(TL3,T) Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
Nur R1
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
120 bei 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 500µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Leistung - Max.
150 mW
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
SOT-723
Gehäusetyp vom Lieferanten
VESM
Basis-Produktnummer
RN1131
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Menge
Alle Preise in CHF
Gurtabschnitt (CT)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 0.14000Fr. 0.14
10Fr. 0.08500Fr. 0.85
100Fr. 0.05260Fr. 5.26
500Fr. 0.03822Fr. 19.11
1’000Fr. 0.03358Fr. 33.58
2’000Fr. 0.02965Fr. 59.30
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 0.14000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 0.15134