Name: RN1417(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1417(TE85LF)TR-ND
Price: 0.27025 CHF
Availability: InStock

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RN1417(TE85L,F)
DigiKey-Teilenr.	RN1417(TE85LF)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RN1417(TE85LF)CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1417(TE85L,F)
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Oberflächenmontage S-Mini
EDA/CAD-Modelle	RN1417(TE85L,F) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50 V
Widerstände enthalten	R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	30 bei 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 250µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	500nA
Frequenz - Übergang	250 MHz
Leistung - Max.	200 mW
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	S-Mini
Basis-Produktnummer	RN1417

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