Name: RN2610(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2610(TE85LF)TR-ND
Price: 0.33511 CHF
Availability: InStock

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RN2610(TE85L,F)
DigiKey-Teilenr.	RN2610(TE85LF)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RN2610(TE85LF)CT-ND - Gurtabschnitt (CT) RN2610(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN2610(TE85L,F)
Beschreibung	TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SM6
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 2 PNP - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 200MHz 300mW Oberflächenmontage SM6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RN2610(TE85L,F) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare Transistorarrays, vorgespannt
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	2 PNP - vorgespannt (zweif.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1)	4,7kOhm
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	-
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	120 bei 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 250µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	100 nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	200MHz
Leistung - Max.	300mW
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SC-74, SOT-457
Gehäusetyp vom Lieferanten	SM6
Basis-Produktnummer	RN2610

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