Name: SSM3J353F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J353FLFTR-ND
Price: 0.33511 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3J353F,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3J353FLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3J353FLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3J353FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3J353F,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 2 A (Ta) 600mW (Ta) Oberflächenmontage S-Mini
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3J353F,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	150mOhm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	+20V, -25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	159 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	600mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	S-Mini
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	SSM3J353

Fragen und Antworten zum Produkt

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)