Name: SSM3J356R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J356RLFTR-ND
Price: 0.37835 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM3J356R,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3J356RLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3J356RLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3J356RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3J356R,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 2 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3J356R,LF Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.3 nC @ 10 V
Serie U-MOSVI	Vgs (Max.) +10V, -20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 330 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23F
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2 A (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-23-3 flache Anschlüsse
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 10V	Basis-Produktnummer SSM3J356
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 300mOhm bei 1A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 170’487

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)