Name: SSM3K318R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K318RLFTR-ND
Price: 0.49726 CHF
Availability: InStock

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SSM3K318R,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM3K318RLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K318RLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K318RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K318R,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 2,5 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3K318R,LF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,8V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7 nC @ 10 V
Serie U-MOSIV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 235 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23F
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,5 A (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-23-3 flache Anschlüsse
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SSM3K318
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 107mOhm bei 2A, 10V

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