Name: SSM3K56MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K56MFVL3FTR-ND
Price: 0.33511 CHF
Availability: OutOfStock

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SSM3K56MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	SSM3K56MFVL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3K56MFVL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3K56MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM3K56MFV,L3F
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM3K56MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 55 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten VESM
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 800mA (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-723
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SSM3K56
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 235mOhm bei 800mA, 4,5V

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