Name: SSM5N15FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM5N15FE(TE85L,F)TR-ND
Price: 0.33511 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM5N15FE(TE85L,F)
DigiKey-Teilenr.	264-SSM5N15FE(TE85L,F)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-SSM5N15FE(TE85L,F)CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-SSM5N15FE(TE85L,F)DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM5N15FE(TE85L,F)
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage ESV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM5N15FE(TE85L,F) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4Ohm bei 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 100µA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7.8 pF @ 3 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	ESV
Gehäuse / Hülle	SOT-553
Basis-Produktnummer	SSM5N15