Name: SSM6H19NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6H19NULFTR-ND
Price: 0.45402 CHF
Availability: InStock

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SSM6H19NU,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6H19NULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6H19NULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6H19NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6H19NU,LF
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 2 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage 6-UDFN (2x2)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6H19NU,LF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2.2 nC @ 4.2 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 130 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-UDFN (2x2)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 6-UDFN mit freiliegendem Pad
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 8V	Basis-Produktnummer SSM6H19
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 185mOhm bei 1A, 8V

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