Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 0.63779 CHF
Availability: InStock

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SSM6J212FE,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6J212FELFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6J212FELFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6J212FE,LF
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage ES6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6J212FE,LF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14.1 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 970 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten ES6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4 A (Ta)	Gehäuse / Hülle SOT-563, SOT-666
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V	Basis-Produktnummer SSM6J212
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 40,7mOhm bei 3A, 4,5V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SSM6J212FE,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	3’175	SSM6J212FELFCT-ND	Fr. 0.59000	Parametrisches Äquivalent

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