Name: SSM6J216FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J216FELFTR-ND
Price: 0.55131 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6J216FE,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6J216FELFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6J216FELFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6J216FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6J216FE,LF
Beschreibung	MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 4,8 A (Ta) 700mW (Ta) Oberflächenmontage ES6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6J216FE,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	32mOhm bei 3,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1040 pF @ 12 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	ES6
Gehäuse / Hülle	SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer	SSM6J216

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