Name: SSM6K819R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLFTR-ND
Price: 0.92966 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6K819R,LF
DigiKey-Teilenr.	264-SSM6K819RLFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-SSM6K819RLFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-SSM6K819RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6K819R,LF
Beschreibung	N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 10 A (Ta) 1,5W (Ta) Oberflächenmontage 6-TSOP-F
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1110 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1,5W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten 6-TSOP-F
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25,8mOhm bei 4A, 10V	Gehäuse / Hülle 6-SMD, flache Anschlüsse
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 100µA	Basis-Produktnummer SSM6K819

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 7’592

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)