Name: TBC857B,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TBC857BLMTR-ND
Price: 0.12972 CHF
Availability: InStock

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TBC857B,LM
DigiKey-Teilenr.	TBC857BLMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TBC857BLMCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TBC857BLMDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TBC857B,LM
Beschreibung	TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 50 V 150 mA 80MHz 320 mW Oberflächenmontage SOT-23-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 210 bei 2mA, 5V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Leistung - Max. 320 mW
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Frequenz - Übergang 80MHz
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Transistor-Typ PNP	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150 mA	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 650mV bei 100mA, 5mA	Basis-Produktnummer TBC857
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 30 nA (ICBO)

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