Name: TK10A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10A60WS4VX-ND
Price: 1.66474 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK10A60W,S4VX
DigiKey-Teilenr.	TK10A60WS4VX-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK10A60W,S4VX
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 9,7 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK10A60W,S4VX Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	380mOhm bei 4,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,7V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	700 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK10A60

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.54000	Fr. 1.54
50	Fr. 1.10560	Fr. 55.28
100	Fr. 1.09340	Fr. 109.34
500	Fr. 1.08592	Fr. 542.96
1’000	Fr. 1.01827	Fr. 1’018.27
2’000	Fr. 1.00000	Fr. 2’000.00

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