Name: TK10A80E,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10A80ES4X-ND
Price: 3.17814 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK10A80E,S4X
DigiKey-Teilenr.	TK10A80ES4X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK10A80E,S4X
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 10 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK10A80E,S4X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVIII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1Ohm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK10A80

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.94000	Fr. 2.94
50	Fr. 1.60320	Fr. 80.16
100	Fr. 1.49740	Fr. 149.74
500	Fr. 1.06904	Fr. 534.52
1’000	Fr. 0.99187	Fr. 991.87
2’000	Fr. 0.97000	Fr. 1’940.00

Standardverpackung des Herstellers

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