Name: TK10J80E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10J80ES1E-ND
Price: 3.93484 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK10J80E,S1E
DigiKey-Teilenr.	TK10J80ES1E-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK10J80E,S1E
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 10 A (Ta) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK10J80E,S1E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVIII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1Ohm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P(N)
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer	TK10J80

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.64000	Fr. 3.64
25	Fr. 1.90160	Fr. 47.54
100	Fr. 1.65650	Fr. 165.65
500	Fr. 1.43924	Fr. 719.62
1’000	Fr. 1.37500	Fr. 1’375.00

Standardverpackung des Herstellers

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