Name: TK110N65Z,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK110N65ZS1F-ND
Price: 6.02117 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK110N65Z,S1F
DigiKey-Teilenr.	264-TK110N65ZS1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK110N65Z,S1F
Beschreibung	POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Ta) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSVI
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	110mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1,02mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2250 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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30	Fr. 3.48033	Fr. 104.41
120	Fr. 3.33983	Fr. 400.78
510	Fr. 3.08749	Fr. 1’574.62

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