Name: TK13A50DA(STA4,Q,M
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK13A50DA(STA4QM-ND
Price: 2.86465 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK13A50DA(STA4,Q,M
DigiKey-Teilenr.	TK13A50DA(STA4QM-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK13A50DA(STA4,Q,M
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 12,5 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	470mOhm bei 6,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1550 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK13A50

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.65000	Fr. 2.65
50	Fr. 1.39560	Fr. 69.78
100	Fr. 1.34850	Fr. 134.85
500	Fr. 1.03378	Fr. 516.89
1’000	Fr. 0.90682	Fr. 906.82
2’000	Fr. 0.88407	Fr. 1’768.14

Standardverpackung des Herstellers

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