Name: TK14E65W5,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK14E65W5S1X-ND
Price: 3.94565 CHF
Availability: OutOfStock

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TK14E65W5,S1X
DigiKey-Teilenr.	TK14E65W5S1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK14E65W5,S1X
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK14E65W5,S1X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	300mOhm bei 6,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 690µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1300 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	130W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	TK14E65

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50	Fr. 1.88560	Fr. 94.28
100	Fr. 1.71500	Fr. 171.50
500	Fr. 1.41590	Fr. 707.95
1’000	Fr. 1.34900	Fr. 1’349.00

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