TK125N60Z1,S1F
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK14N65W,S1F

DigiKey-Teilenr.
TK14N65WS1F-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK14N65W,S1F
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 13,7 A (Ta) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK14N65W,S1F Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
250mOhm bei 6.9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 690µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 300 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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