Name: TK155A60Z1,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK155A60Z1S4X-ND
Price: 2.90789 CHF
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK155A60Z1,S4X
DigiKey-Teilenr.	264-TK155A60Z1S4X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK155A60Z1,S4X
Beschreibung	N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 17 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSVI
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	155mOhm bei 5,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 610µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1350 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.69000	Fr. 2.69
50	Fr. 1.35020	Fr. 67.51
100	Fr. 1.22080	Fr. 122.08
500	Fr. 0.99396	Fr. 496.98
1’000	Fr. 0.92106	Fr. 921.06
2’000	Fr. 0.89000	Fr. 1’780.00

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