Name: TK16A60W,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16A60WS4X-ND
Price: 1.8377 CHF
Availability: OutOfStock

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TK16A60W,S4X
DigiKey-Teilenr.	TK16A60WS4X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK16A60W,S4X
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 15,8 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK16A60W,S4X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 7,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,7V bei 790µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1350 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK16A60

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