Name: TK17E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17E80WS1X-ND
Price: 5.31852 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK17E80W,S1X
DigiKey-Teilenr.	TK17E80WS1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK17E80W,S1X
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 17 A (Ta) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK17E80W,S1X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	290mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 850µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2050 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	TK17E80

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1	Fr. 4.92000	Fr. 4.92
50	Fr. 2.55000	Fr. 127.50
100	Fr. 2.42890	Fr. 242.89
500	Fr. 2.05300	Fr. 1’026.50

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