Name: TK18A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK18A50D(STA4QM)-ND
Price: 3.65378 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK18A50D(STA4,Q,M)
DigiKey-Teilenr.	TK18A50D(STA4QM)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK18A50D(STA4,Q,M)
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 18 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	270mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK18A50

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.38000	Fr. 3.38
50	Fr. 1.67280	Fr. 83.64
100	Fr. 1.51780	Fr. 151.78
500	Fr. 1.33920	Fr. 669.60
1’000	Fr. 1.26400	Fr. 1’264.00

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