Name: TK190E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK190E65ZS1X-ND
Price: 3.71864 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 15 A (Ta) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK190E65Z,S1X
DigiKey-Teilenr.	264-TK190E65ZS1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK190E65Z,S1X
Beschreibung	650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 15 A (Ta) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 610µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1370 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	130W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.44000	Fr. 3.44
50	Fr. 1.76620	Fr. 88.31
100	Fr. 1.60440	Fr. 160.44
500	Fr. 1.32108	Fr. 660.54
1’000	Fr. 1.24400	Fr. 1’244.00

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