Name: TK25N60X5,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK25N60X5S1F-ND
Price: 5.14556 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK25N60X5,S1F
DigiKey-Teilenr.	TK25N60X5S1F-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK25N60X5,S1F
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 25 A (Ta) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK25N60X5,S1F Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV-H
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	140mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 1,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2400 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	TK25N60

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30	Fr. 2.66033	Fr. 79.81
120	Fr. 2.37575	Fr. 285.09
510	Fr. 2.05300	Fr. 1’047.03

Standardverpackung des Herstellers

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