Name: TK25S06N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK25S06N1LLXHQTR-ND
Price: 1.25396 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 60 V 25 A (Ta) 57W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK25S06N1L,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-TK25S06N1LLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TK25S06N1LLXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TK25S06N1LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK25S06N1L,LXHQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 25 A (Ta) 57W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK25S06N1L,LXHQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	36,8mOhm bei 12,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	855 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	57W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DPAK+
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	TK25S06