Name: TK290P60Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK290P60YRQTR-ND
Price: 2.5944 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK290P60Y,RQ
DigiKey-Teilenr.	TK290P60YRQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK290P60YRQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK290P60YRQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK290P60Y,RQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 11,5 A (Tc) 100W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK290P60Y,RQ Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 450µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Serie DTMOSV	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 730 pF @ 300 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TK290P60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 290mOhm bei 5,8A, 10V