TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK2R9E10PL,S1X

DigiKey-Teilenr.
264-TK2R9E10PL,S1X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK2R9E10PL,S1X
Beschreibung
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 100 A (Ta) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9500 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
306W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
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