Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 5.76173 CHF
Availability: InStock

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TK31V60X,LQ
DigiKey-Teilenr.	TK31V60XLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK31V60XLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK31V60X,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 30,8 A (Ta) 240W (Tc) Oberflächenmontage 4-DFN-EP (8x8)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK31V60X,LQ Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	98mOhm bei 9,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3000 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	240W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-DFN-EP (8x8)
Gehäuse / Hülle	4-VSFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	TK31V60

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 5.33000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 5.76173

TK31V60X,LQ