TK370A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK370A60F,S4X(S
DigiKey-Teilenr.	264-TK370A60FS4X(S-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK370A60F,S4X(S
Beschreibung	MOSFET N-CH
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 15 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	370mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 2,04mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2200 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack

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