TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete Halbleiterprodukte

TK4A60D(STA4,Q,M) ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK4A60D(STA4,Q,M)
DigiKey-Teilenr.	TK4A60D(STA4QM)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK4A60D(STA4,Q,M)
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 4 A (Ta) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK4A60D(STA4,Q,M) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,7Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	35W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK4A60