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TK5A80E,S4X
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TK5A80E,S4X
TO-220-3 Full Pack

TK5A60W,S4VX

DigiKey-Teilenr.
TK5A60WS4VX-ND
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
TK5A60W,S4VX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 5,4 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK5A60W,S4VX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
900mOhm bei 2,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,7V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
380 pF @ 300 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
TK5A60
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Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.28000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.46468