Name: TK8A60W5,S5VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK8A60W5S5VX-ND
Price: 2.18362 CHF
Availability: OutOfStock

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TK8A60W5,S5VX
DigiKey-Teilenr.	TK8A60W5S5VX-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK8A60W5,S5VX
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 8 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK8A60W5,S5VX Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	540mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 400µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	590 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK8A60

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50	Fr. 1.04280	Fr. 52.14
100	Fr. 0.87020	Fr. 87.02
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2’000	Fr. 0.58066	Fr. 1’161.32
5’000	Fr. 0.56600	Fr. 2’830.00

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