Name: TK7A65D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7A65D(STA4QM)-ND
Price: 2.47549 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK7A65D(STA4,Q,M)
DigiKey-Teilenr.	TK7A65D(STA4QM)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK7A65D(STA4,Q,M)
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 7 A (Ta) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK7A65D(STA4,Q,M) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	980mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1200 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	45W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK7A65

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.29000	Fr. 2.29
50	Fr. 1.13460	Fr. 56.73
100	Fr. 1.02280	Fr. 102.28
500	Fr. 0.82664	Fr. 413.32
1’000	Fr. 0.76361	Fr. 763.61
2’000	Fr. 0.71500	Fr. 1’430.00

Standardverpackung des Herstellers

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