


TK7A65W,S5X | |
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DigiKey-Teilenr. | TK7A65WS5X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TK7A65W,S5X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 6,8 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | TK7A65W,S5X Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 780mOhm bei 3,4A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 490 pF @ 300 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 30W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220SIS | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 1.86000 | Fr. 1.86 |
50 | Fr. 0.90160 | Fr. 45.08 |
100 | Fr. 0.83100 | Fr. 83.10 |
500 | Fr. 0.65194 | Fr. 325.97 |
1’000 | Fr. 0.58374 | Fr. 583.74 |
2’000 | Fr. 0.55586 | Fr. 1’111.72 |
5’000 | Fr. 0.53800 | Fr. 2’690.00 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.86000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.01066 |