Name: TK7E80W,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7E80WS1X-ND
Price: 3.7835 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK7E80W,S1X
DigiKey-Teilenr.	TK7E80WS1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK7E80W,S1X
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 6,5 A (Ta) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK7E80W,S1X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	950mOhm bei 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 280µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	700 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	TK7E80

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.50000	Fr. 3.50
50	Fr. 1.79940	Fr. 89.97
100	Fr. 1.63510	Fr. 163.51
500	Fr. 1.34736	Fr. 673.68
1’000	Fr. 1.27300	Fr. 1’273.00

Standardverpackung des Herstellers

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