Name: TK9A45D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A45D(STA4QM)-ND
Price: 1.88094 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK9A45D(STA4,Q,M)
DigiKey-Teilenr.	TK9A45D(STA4QM)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK9A45D(STA4,Q,M)
Beschreibung	MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 450 V 9 A (Ta) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK9A45D(STA4,Q,M) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	450 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	770mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	40W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK9A45

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.74000	Fr. 1.74
50	Fr. 0.84820	Fr. 42.41
100	Fr. 0.76080	Fr. 76.08
500	Fr. 0.60740	Fr. 303.70
1’000	Fr. 0.55807	Fr. 558.07
2’000	Fr. 0.51660	Fr. 1’033.20
5’000	Fr. 0.49400	Fr. 2’470.00

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