Name: TK9A65W,S5X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9A65WS5X-ND
Price: 2.47549 CHF
Availability: OutOfStock

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TK9A65W,S5X
DigiKey-Teilenr.	TK9A65WS5X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK9A65W,S5X
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 9,3 A (Ta) 30W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK9A65W,S5X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	500mOhm bei 4,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 350µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	700 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK9A65

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