Name: TPH2R408QM,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R408QML1QTR-ND
Price: 2.18362 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)

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TPH2R408QM,L1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TPH2R408QML1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPH2R408QML1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPH2R408QML1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH2R408QM,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 3W (Ta), 210W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPH2R408QM,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 87 nC @ 10 V
Serie U-MOSX-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8300 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 210W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer TPH2R408
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,43mOhm bei 50A, 10V