Name: TPH3R70APL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH3R70APL1LQTR-ND
Price: 2.01066 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 90 A (Tc) 210W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)

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TPH3R70APL1,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPH3R70APL1LQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPH3R70APL1LQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPH3R70APL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPH3R70APL1,LQ
Beschreibung	150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 90 A (Tc) 210W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 67 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6300 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 210W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 90 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,7mOhm bei 45A, 10V	Basis-Produktnummer TPH3R70