Name: TPHR6503PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR6503PL1LQTR-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 30 V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)

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TPHR6503PL1,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPHR6503PL1LQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPHR6503PL1LQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPHR6503PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPHR6503PL1,LQ
Beschreibung	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPHR6503PL1,LQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,65mOhm bei 50A, 10V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 1mA
Serie U-MOSIX-H	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10000 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 150 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance-Gehäuse (5x5,75)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN