Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 1.92418 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPN1110ENH,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPN1110ENHL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN1110ENH,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 7,2 A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN1110ENH,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	114mOhm bei 3,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 200µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	600 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	TPN1110