Name: TPN13008NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN13008NHL1QTR-ND
Price: 1.42692 CHF
Availability: InStock

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TPN13008NH,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPN13008NHL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPN13008NHL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPN13008NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPN13008NH,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 18 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPN13008NH,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 200µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 18 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-TSON Advance-Gehäuse (3,1x3,1)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TPN13008
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,3mOhm bei 9A, 10V

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
DMT10H015LFG-7	Diodes Incorporated	1’176	DMT10H015LFG-7DICT-ND	Fr. 19.53000	Ähnlich

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 1.42692

TPN13008NH,L1Q