Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 1.97823 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 40 V 120 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Oberflächenmontage 8-DSOP Advance-Gehäuse

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPW1R104PB,L1XHQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPW1R104PB,L1XHQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 120 A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Oberflächenmontage 8-DSOP Advance-Gehäuse
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPW1R104PB,L1XHQ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,14mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4560 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DSOP Advance-Gehäuse
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	TPW1R104