Name: TPWR8004PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8004PLL1QTR-ND
Price: 3.5673 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TPWR8004PL,L1Q
DigiKey-Teilenr.	TPWR8004PLL1QTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TPWR8004PLL1QCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TPWR8004PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPWR8004PL,L1Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 150 A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Oberflächenmontage 8-DSOP Advance-Gehäuse
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TPWR8004PL,L1Q Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 1mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 103 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9600 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 170W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-DSOP Advance-Gehäuse
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 150 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer TPWR8004
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,8mOhm bei 50A, 10V