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Toshiba Semiconductor and Storage
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Datenblatt
TRS4A65F,S1Q
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TRS10A65F,S1Q

DigiKey-Teilenr.
264-TRS10A65FS1Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TRS10A65F,S1Q
Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F2L
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 10A Durchkontaktierung TO-220F-2L
Datenblatt
 Datenblatt
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TRS10A65F,S1Q Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.6 V @ 10 A
Geschwindigkeit
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
36pF bei 650V, 1MHz
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-2L
Betriebstemperatur - Übergang
175°C (max.)
Basis-Produktnummer
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50Fr. 2.83480Fr. 141.74
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500Fr. 2.09100Fr. 1’045.50
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