Name: TRS12E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS12E65H,S1Q-ND
Price: 2.44306 CHF
Availability: InStock

Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220-2L

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TRS12E65H,S1Q
DigiKey-Teilenr.	264-TRS12E65H,S1Q-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TRS12E65H,S1Q
Beschreibung	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220L
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Dioden 650 V 12A Durchkontaktierung TO-220-2L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Gleichrichter Einzeldioden
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)	650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)	12A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If	1.35 V @ 12 A
Geschwindigkeit	Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)	0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr	120 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F	778pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-2L
Betriebstemperatur - Übergang	175°C

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50	Fr. 1.57200	Fr. 78.60
100	Fr. 1.56680	Fr. 156.68
500	Fr. 1.51800	Fr. 759.00

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